器件3D模型

￥ 0.48

FDS6680S 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SO-8

描述:

30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDS6680S 数据手册 (5 页)

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FDS6680S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SO-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

11 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

10.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.5 A

上升时间

10 ns

输入电容值(Ciss)

2010pF @15V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta)

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FDS6680S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDS6680S 符合标准

FDS6680S 海关信息

FDS6680S 概述

FDS6680S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.1 MByte

FDS6680S 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.61 MByte

FDS6680S 产品手册

Fairchild（飞兆/仙童）

9 页 / 0.21 MByte

FDS6680 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.7 V

FDS6680 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FDS6680A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 V

FDS6680AS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680AS 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.5 A, 30 V, 10 mohm, 10 V, 1.5 V

FDS6680A 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680A, 12.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

FDS6680AS 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6680AS, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

FDS6680S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩

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