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FDS6890A
器件3D模型
1
FDS6890A 数据手册 (1 页)
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FDS6890A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
7.50 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.013 Ω
极性
N-Channel, Dual N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
800 mV
输入电容
2.13 nF
栅电荷
23.0 nC
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±8.00 V
连续漏极电流(Ids)
7.50 A
上升时间
26 ns
输入电容值(Ciss)
2130pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
23 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

FDS6890A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDS6890A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.71 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.1 MByte

FDS6890 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6890A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 0.013 ohm, 4.5 V, 800 mV
Fairchild(飞兆/仙童)
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