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Datasheet 搜索 > ON Semiconductor(安森美) > FDS6898AZ-F085 Datasheet 文档
FDS6898AZ-F085
器件3D模型
1.041
FDS6898AZ-F085 数据手册 (5 页)
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FDS6898AZ-F085 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
功耗
2000 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
上升时间
15 ns
输入电容值(Ciss)
1821pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

FDS6898AZ-F085 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6898AZ-F085 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.32 MByte

FDS6898 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6898A.  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6898AZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 9.4 A, 20 V, 14 mohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
FDS6898A 系列 20 V 14 mOhm 双 N 沟道 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
ON Semiconductor(安森美)
FDS6898AZ 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET
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