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FDS6930A
器件3D模型
1
FDS6930A 数据手册 (11 页)
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FDS6930A 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
5.50 A
封装
SOIC-8
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.032 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
1.5 V
输入电容
460 pF
栅电荷
5.00 nC
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
5.50 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
460pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

FDS6930A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDS6930A 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
11 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
2 页 / 0.13 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.05 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
27 页 / 1.02 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

FDS6930 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6930B.  场效应管, MOSFET, N沟道, 30V
ON Semiconductor(安森美)
FDS6930B 系列 30 V 38 mOhm 双 N 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6930A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench® Dual N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET
Freescale(飞思卡尔)
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