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FDS8958A_NF073
器件3D模型
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FDS8958A_NF073 数据手册 (9 页)
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FDS8958A_NF073 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SO
漏源极电阻
28.0 mΩ, 52.0 mΩ
极性
N-Channel, P-Channel
功耗
2.00 W
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
±30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
7A/5A

FDS8958A_NF073 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)

FDS8958A_NF073 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.29 MByte

FDS8958 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双N和P沟道PowerTrench MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958B  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.4 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8958A_F085  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958B, 4.5 A,6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958A_F085, 5 A,7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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