器件3D模型

￥ 0.306

FDS8958B 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si N/P沟道 MOSFET FDS8958B, 4.5 A，6.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDS8958B 数据手册 (11 页)

封装尺寸在10 页

FDS8958B 数据手册 (11 页)

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FDS8958B 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

功耗

2 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

540pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

900 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6 W

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FDS8958B 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.575 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDS8958B 符合标准

FDS8958B 概述

FDS8958B 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

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