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FDV301N
0.035
FDV301N 数据手册 (5 页)
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FDV301N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
220 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
350 mW
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.1 Ω
极性
N-Channel
功耗
350 mW
阈值电压
850 mV
输入电容
9.50 pF
栅电荷
700 pC
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25.0 V
栅源击穿电压
8.00 V
连续漏极电流(Ids)
220 mA
上升时间
6 ns
输入电容值(Ciss)
9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
下降时间
3.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Ta)

FDV301N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.93 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDV301N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.8 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.44 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.15 MByte

FDV301 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV301N  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor(安森美)
FD V301N 系列 N沟道 25 V 4 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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