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FDV301N_Q
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FDV301N_Q 数据手册 (6 页)
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FDV301N_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-CH
功耗
350 mW
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25 V
连续漏极电流(Ids)
0.5A
上升时间
6 ns
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

FDV301N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.2 mm

FDV301N_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.17 MByte

FDV301 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV301N  晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 25 V, 3.1 ohm, 4.5 V, 850 mV
ON Semiconductor(安森美)
FD V301N 系列 N沟道 25 V 4 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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