￥ 0.026

FDV302P 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FD V302P 系列 P沟道 25 V 13 Ohm 表面贴装数字 FET - SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDV302P 数据手册 (4 页)

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FDV302P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.9 Ω

功耗

350 mW

阈值电压

1 V

输入电容

11 pF

漏源极电压(Vds)

25 V

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

11pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

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FDV302P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDV302P 符合标准

FDV302P 概述

FDV302P 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.06 MByte

FDV302P 其他数据使用手册

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