￥ 1

FDV302P 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV302P 晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDV302P 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDV302P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-25.0 V

额定电流

-120 mA

封装

SOT-23-3

额定功率

350 mW

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

7.9 Ω

极性

P-Channel

功耗

350 mW

漏源极电压(Vds)

25 V

漏源击穿电压

-25.0 V

连续漏极电流(Ids)

120 mA

上升时间

8 ns

输入电容值(Ciss)

11pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

查看数据手册 >

FDV302P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FDV302P 符合标准

FDV302P 海关信息

FDV302P 概述