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FDV303N 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
MOS管
封装:
SOT-23-3
描述:
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
FDV303N 数据手册 (5 页)
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