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FDV303N
0.031
FDV303N 数据手册 (5 页)
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FDV303N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.33 Ω
功耗
0.35 W
阈值电压
800 mV
漏源极电压(Vds)
25 V
上升时间
8.5 ns
输入电容值(Ciss)
50pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
下降时间
13 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

FDV303N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.93 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDV303N 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.46 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 1.07 MByte

FDV303 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
数字场效应管, N通道 Digital FET, N-Channel
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV303N  晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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