Web Analytics
Datasheet 搜索 > ON Semiconductor(安森美) > FDV303N-F169 Datasheet 文档
FDV303N-F169
0
FDV303N-F169 数据手册 (5 页)
查看文档
或点击图片查看大图

FDV303N-F169 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3

FDV303N-F169 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

FDV303N-F169 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.46 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.45 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 2.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 1.07 MByte

FDV303 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
数字场效应管, N通道 Digital FET, N-Channel
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV303N  晶体管, MOSFET, N沟道, 680 mA, 25 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 800 mV
ON Semiconductor(安森美)
增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z