￥ 0.092

FDV305N 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDV305N 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FDV305N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.22 Ω

功耗

0.35 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

109pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

下降时间

1.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350 mW

查看数据手册 >

FDV305N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

FDV305N 符合标准

FDV305N 概述

FDV305N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.16 MByte

FDV305N 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.28 MByte

FDV305 数据手册

FDV305N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV305N 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V

FDV305N 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

FDV305N 数据手册

Freescale（飞思卡尔）

FDV305N_Q 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号