FDV305N

￥ 1

FDV305N 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV305N 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FDV305N 数据手册 (5 页)

FDV305N 数据手册 (5 页)

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FDV305N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

20.0 V

额定电流

900 mA

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

220 mΩ

极性

N-Channel

功耗

350 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20.0 V

栅源击穿电压

±12.0 V

连续漏极电流(Ids)

900 mA

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

109pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

350 mW

下降时间

1.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

查看数据手册 >

FDV305N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.92 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.93 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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FDV305N 符合标准

FDV305N 海关信息

FDV305N 数据手册

FDV305N 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

5 页 / 0.16 MByte

FDV305N 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

7 页 / 0.26 MByte

FDV305N 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.04 MByte

FDV305N 产品手册

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5 页 / 0.16 MByte

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FDV305N 数据手册

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDV305N 晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V

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