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FDV305N
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FDV305N 数据手册 (5 页)
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FDV305N 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
20.0 V
额定电流
900 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
220 mΩ
极性
N-Channel
功耗
350 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
900 mA
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
109pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
350 mW
下降时间
1.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350mW (Ta)

FDV305N 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.92 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.93 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FDV305N 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.04 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.16 MByte

FDV305 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV305N  晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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