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FDV305N_Q
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FDV305N_Q 数据手册 (8 页)
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FDV305N_Q 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
220 mΩ
极性
N-CH
功耗
350 mW
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.9A
上升时间
7 ns
下降时间
7 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃

FDV305N_Q 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.2 mm

FDV305N_Q 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.26 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.28 MByte

FDV305 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV305N  晶体管, MOSFET, N沟道, 900 mA, 20 V, 220 mohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDV305N, 900 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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