器件3D模型

￥ 0.181

FDY1002PZ 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SC-89-6

描述:

ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si P沟道 MOSFET FDY1002PZ, 830 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FDY1002PZ 数据手册 (7 页)

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FDY1002PZ 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SC-89-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.28 Ω

功耗

625 mW

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

2.9 ns

输入电容值(Ciss)

135pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

446 mW

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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FDY1002PZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.7 mm

宽度

1.2 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FDY1002PZ 符合标准

FDY1002PZ 概述

FDY1002PZ 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.25 MByte

FDY1002PZ 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.31 MByte

FDY1002PZ 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 1.77 MByte

FDY1002 数据手册

FDY1002PZ 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FDY1002PZ 数据手册

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ON Semiconductor PowerTrench 系列双 Si P沟道 MOSFET FDY1002PZ, 830 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-523 (SC-89)封装

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