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FDY300NZ
器件3D模型
0.083
FDY300NZ 数据手册 (3 页)
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FDY300NZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SC-89-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.24 Ω
极性
N-Channel
功耗
625 mW
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
600 mA
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
60pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
446 mW
下降时间
2.4 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625mW (Ta)

FDY300NZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.7 mm
宽度
0.98 mm
高度
0.78 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDY300NZ 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.08 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.35 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.01 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 1.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.25 MByte

FDY300 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY300NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 20 V, 0.24 ohm, 4.5 V, 1 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDY3000NZ  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 700 mohm, 4.5 V, 1 V
ON Semiconductor(安森美)
FDY3000NZ 系列 20 V 700 mOhm 双 N 沟道 专用 PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523 (SC-89)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
双N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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