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FF1200R12IE5BPSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-PRIME2-5

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FF1200R12IE5BPSA1 数据手册 (10 页)

FF1200R12IE5BPSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

10 Pin

封装

AG-PRIME2-5

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

65.5nF @25V

额定功率(Max)

20 mW

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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FF1200R12IE5BPSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 175℃

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FF1200R12IE5BPSA1 符合标准

FF1200R12IE5BPSA1 概述

FF1200R12IE5BPSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.59 MByte

FF1200R12IE5BPSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF1200R12IE5BPSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF1200R12IE5BPSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FF1200R12IE5BPSA1 产品封装文件

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.88 MByte

FF1200R12IE5 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT模块

FF1200R12IE5PBPSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module

FF1200R12IE5BPSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 1.2 kA, 1.7 V, 1.2 kV, Module

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