￥ 128.09

FF200R12KT3EHOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

AG-62MM-1

描述:

Infineon FF200R12KT3EHOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FF200R12KT3EHOSA1 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FF200R12KT3EHOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

AG-62MM-1

功耗

1050000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

14nF @25V

额定功率(Max)

1050 W

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1050000 mW

查看数据手册 >

FF200R12KT3EHOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

长度

106.4 mm

宽度

61.4 mm

高度

29 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

查看数据手册 >

FF200R12KT3EHOSA1 符合标准

FF200R12KT3EHOSA1 海关信息

FF200R12KT3EHOSA1 概述

FF200R12KT3EHOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.41 MByte

FF200R12KT3EHOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF200R12KT3EHOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF200R12KT3EHOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FF200R12KT3 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A

FF200R12KT3 数据手册

Eupec

FF200R12KT3EHOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon FF200R12KT3EHOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装

FF200R12KT3_E 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FF200R12KT3HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 1.2 kV, Module

FF200R12KT3-E 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号