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FF450R12KE4EHOSA1
150.631
FF450R12KE4EHOSA1 数据手册 (1 页)
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FF450R12KE4EHOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
7 Pin
封装
AG-62MM-1
功耗
2.4 kW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
28nF @25V
额定功率(Max)
2400 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2400000 mW

FF450R12KE4EHOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF450R12KE4EHOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 2.24 MByte

FF450R12KE4 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF450R12KE4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF450R12KE4HOSA1  晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 520 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
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