￥ 67.01

FF50R12RT4HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-34MM-1

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FF50R12RT4HOSA1 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FF50R12RT4HOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

AG-34MM-1

功耗

285 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

2.8nF @25V

额定功率(Max)

285 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

285000 mW

查看数据手册 >

FF50R12RT4HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

FF50R12RT4HOSA1 符合标准

FF50R12RT4HOSA1 海关信息

FF50R12RT4HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.57 MByte

FF50R12RT4HOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF50R12RT4HOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF50R12RT4HOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 6.73 MByte

FF50R12RT4 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 模块 IGBT 1200V 50A

FF50R12RT4HOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 50 A, 1.85 V, 285 W, 1.2 kV, Module

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号