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FF900R12IE4 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

AG-PRIME2-1

描述:

INFINEON FF900R12IE4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FF900R12IE4 数据手册 (9 页)

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FF900R12IE4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

10 Pin

封装

AG-PRIME2-1

额定功率

5.1 kW

针脚数

10 Position

极性

N-Channel

功耗

5.1 kW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

54nF @25V

额定功率(Max)

5.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

510 kW

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FF900R12IE4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

长度

172 mm

宽度

89 mm

高度

38 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FF900R12IE4 符合标准

FF900R12IE4 海关信息

FF900R12IE4 概述

FF900R12IE4 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 1.21 MByte

FF900R12IE4 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FF900R12IE4 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FF900R12IE4 开发手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 6.73 MByte

FF900R12IE4 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.25 MByte

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