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FF900R12IP4
421.983
FF900R12IP4 数据手册 (9 页)
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FF900R12IP4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
8 Pin
封装
PRIME-2
额定功率
5100 W
极性
N-Channel
功耗
5.1 kW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
耗散功率(Max)
5100000 mW

FF900R12IP4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
End of Life
包装方式
Box
长度
172 mm
宽度
89 mm
高度
38 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FF900R12IP4 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 1.67 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 1.67 MByte
Infineon(英飞凌)
40 页 / 6.73 MByte

FF900R12 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  FF900R12IE4  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
PrimePACK2模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和NTC PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Infineon(英飞凌)
Infineon FF900R12IE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 900 A, Vce=1200 V, 10引脚 PrimePACK2封装
Infineon(英飞凌)
的PrimePACK ™ 2 MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT4 , größerer发射极控制二极管4 UND NTC PrimePACK?2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode und NTC
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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