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FGA15N120ANTDTU-F109
2.79
FGA15N120ANTDTU-F109 数据手册 (9 页)
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FGA15N120ANTDTU-F109 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
针脚数
3 Position
功耗
186 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
330 ns
额定功率(Max)
186 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
186000 mW

FGA15N120ANTDTU-F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGA15N120ANTDTU-F109 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.88 MByte
ON Semiconductor(安森美)
66 页 / 0.58 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.62 MByte
ON Semiconductor(安森美)
52 页 / 0.26 MByte

FGA15N120 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
MOS(场效应管)/FGA15N120 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGA15N120ANTDTU_F109  单晶体管, IGBT, 30 A, 2.3 V, 186 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
FGA15N120ANTDTU-F109 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
1200V NPT沟道IGBT 1200V NPT Trench IGBT
ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
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