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FGA25N120ANTD
2.356
FGA25N120ANTD 数据手册 (9 页)
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FGA25N120ANTD 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3
针脚数
3 Position
极性
N-Channel
功耗
312 W
上升时间
50.0 ns
工作温度(Max)
150 ℃

FGA25N120ANTD 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FGA25N120ANTD 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.89 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.13 MByte

FGA25N120 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
ON Semiconductor(安森美)
FGA25N120ANTDTU-F109 管装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGA25N120ANTD  单晶体管, IGBT, 50 A, 2.5 V, 312 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
1200V , 25A场截止沟道IGBT 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
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