FGH40N60UFTU 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60SMD  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60UFDTU  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60SMDF  单晶体管, IGBT, 通用, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

600 V 40 A 场截止 IGBT

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGH40N60UFTU  单晶体管, IGBT, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。