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FGP10N60UNDF
0.696
FGP10N60UNDF 数据手册 (10 页)
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FGP10N60UNDF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
功耗
139000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
反向恢复时间
37.7 ns
额定功率(Max)
139 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
139 W

FGP10N60UNDF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FGP10N60UNDF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

FGP10N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild(飞兆/仙童)
IGBT 分立,Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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