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FJN4301RTA
0.007
FJN4301RTA 数据手册 (5 页)
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FJN4301RTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-100 mA
封装
TO-226-3
极性
PNP
功耗
0.3 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
20 @10mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

FJN4301RTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FJN4301RTA 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.15 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.31 MByte

FJN4301 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
ON Semiconductor(安森美)
双电阻器数字晶体管,Fairchild Semiconductor### 数字晶体管,Fairchild Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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