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FJP13009H2TU
1.251
FJP13009H2TU 数据手册 (6 页)
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FJP13009H2TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
功耗
100 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
最小电流放大倍数
15 @5A, 5V
额定功率(Max)
100 W
直流电流增益(hFE)
8
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

FJP13009H2TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
9.9 mm
宽度
4.5 mm
高度
9.2 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

FJP13009H2TU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.27 MByte
ON Semiconductor(安森美)
29 页 / 1.96 MByte

FJP13009H2 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
JUSTA(金胜特)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJP13009H2TU , NPN 晶体管, 12 A, Vce=400 V, HFE:6, 3引脚 TO-220封装
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