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FJP13009TU
0.534
FJP13009TU 数据手册 (6 页)
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FJP13009TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
100 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
集电极最大允许电流
12A
最小电流放大倍数
8 @5A, 5V
额定功率(Max)
100 W
直流电流增益(hFE)
8
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
100000 mW

FJP13009TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
16.51 mm
工作温度
150℃ (TJ)

FJP13009TU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.27 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
3 页 / 0.48 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.13 MByte

FJP13009 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
高压开关模式的应用 High Voltage Switch Mode Application
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJP13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor FJP13009H2TU , NPN 晶体管, 12 A, Vce=400 V, HFE:6, 3引脚 TO-220封装
ON Semiconductor(安森美)
高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
JUSTA(金胜特)
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