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FM24CL64B-G
器件3D模型
2.321
FM24CL64B-G 数据手册 (18 页)
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FM24CL64B-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
0.3 mA
时钟频率
1 MHz
功耗
1 W
存取时间
550 ns
存取时间(Max)
550 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.7V ~ 3.65V

FM24CL64B-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
4.9 mm
宽度
3.9 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

FM24CL64B-G 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
18 页 / 0.38 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
19 页 / 0.47 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
8 页 / 0.4 MByte

FM24CL64 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
3V,64Kb串行F-RAM存储器
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Ramtron
64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 3.6V
Ramtron
RAMTRON  FM24CL64B-G  芯片, 存储器, FRAM, 64K, I2C, 8SOIC
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM24CL64 系列 64 Kb (8 K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM24CL64 系列 64 Kb (8K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM Memory
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