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FM24CL64B-G
器件3D模型
0.49

FM24CL64B-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
2.70V (min)
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
内存容量
8000 B
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
3.65 V
电源电压(Min)
2.7 V

FM24CL64B-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

FM24CL64B-G 数据手册

Ramtron
1 页 / 0.29 MByte
Ramtron
19 页 / 0.49 MByte
Ramtron
2 页 / 0.03 MByte

FM24CL64 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
3V,64Kb串行F-RAM存储器
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM, Ramtron非易失性铁电 RAM 存储器 快写入速度 高耐受性 低功耗 ### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Ramtron
64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:3.0V to 3.6V
Ramtron
RAMTRON  FM24CL64B-G  芯片, 存储器, FRAM, 64K, I2C, 8SOIC
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM24CL64 系列 64 Kb (8 K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM24CL64 系列 64 Kb (8K x 8) 3 V 3 us 串行 F-RAM 存储器 - TDFN-8
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
64Kb的串行3V F-RAM存储器 64Kb Serial 3V F-RAM Memory
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