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Datasheet 搜索 > 存储芯片 > Cypress Semiconductor(赛普拉斯) > FM25V05-GTR Datasheet 文档
FM25V05-GTR
器件3D模型
2.01
FM25V05-GTR 数据手册 (6 页)
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FM25V05-GTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
存取时间(Max)
9 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2V ~ 3.6V

FM25V05-GTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

FM25V05-GTR 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
6 页 / 0.05 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
22 页 / 0.75 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
8 页 / 0.4 MByte

FM25V05 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
512Kb串行SPI,3V,F-RAM存储器
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
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