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FM28V020-TGTR
器件3D模型
0.243
FM28V020-TGTR 数据手册 (21 页)
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FM28V020-TGTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
32 Pin
封装
TSOP-32
存取时间
70 ns
存取时间(Max)
70 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2 V

FM28V020-TGTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 85℃

FM28V020-TGTR 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
21 页 / 0.34 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
20 页 / 0.14 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
8 页 / 0.4 MByte

FM28V020 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
FM28V 系列 256 Kb (32K x 8) 3.3 V 70 ns 并行 F-RAM 存储器 - SOIC-28
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
F-RAM,Cypress Semiconductor### FRAM(铁电 RAM)FRAM(铁电随机存取存储器)是非易失存储器,将铁电膜用作电容器来储存数据。 F-RAM 有 ROM 和 RAM 设备的特点,具备高速存取、写入模式的高耐受性、低功耗、非易失和出色的防篡改功能。 因此,这款存储器特别适用于需要高安全性和低消耗的智能卡,以及移动电话和其他设备。
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
256Kbit字节宽度的F- RAM存储器 256Kbit Bytewide F-RAM Memory
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
256Kbit字节宽度的F- RAM存储器 256Kbit Bytewide F-RAM Memory
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
256Kbit字节宽度的F- RAM存储器 256Kbit Bytewide F-RAM Memory
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