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FP15R12W1T4B3BOMA1
0.782
FP15R12W1T4B3BOMA1 数据手册 (11 页)
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FP15R12W1T4B3BOMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
20 Pin
封装
AG-EASY1B-1
针脚数
20 Position
功耗
130 W
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
890pF @25V
额定功率(Max)
130 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
130000 mW

FP15R12W1T4B3BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
48 mm
宽度
33.8 mm
高度
12 mm
工作温度
-40℃ ~ 150℃

FP15R12W1T4B3BOMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.83 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
73 页 / 2.93 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 2.24 MByte
Infineon(英飞凌)
46 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.13 MByte

FP15R12W1T4B3 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  FP15R12W1T4_B3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 15 A, 1.85 V, 130 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon FP15R12W1T4B3BOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 28 A, Vce=1200 V, 23引脚 EASY1B封装
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