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FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-EASY2B-2

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册 (1 页)

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FP25R12W2T4B11BOMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

23 Pin

封装

AG-EASY2B-2

功耗

175 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

1.45nF @25V

额定功率(Max)

175 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

175000 mW

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FP25R12W2T4B11BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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FP25R12W2T4B11BOMA1 符合标准

FP25R12W2T4B11BOMA1 海关信息

FP25R12W2T4B11BOMA1 概述

FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.07 MByte

FP25R12W2T4B11BOMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FP25R12W2T4B11BOMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.07 MByte

FP25R12W2T4B11BOMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FP25R12W2T4B11 数据手册

FP25R12W2T4_B11 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器HÃ¶chstzulÃ¤ssige Werte /最大额定值 IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter HÃ¶chstzulÃ¤ssige Werte / maximum rated values

FP25R12W2T4B11BOMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

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