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FP25R12W2T4BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

AG-EASY2B-1

描述:

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 39 A, 1.85 V, 175 W, 1.2 kV, Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FP25R12W2T4BOMA1 数据手册 (1 页)

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FP25R12W2T4BOMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

23 Pin

封装

AG-EASY2B-1

功耗

175 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

1.45nF @25V

额定功率(Max)

175 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

175000 mW

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FP25R12W2T4BOMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

工作温度

-40℃ ~ 150℃

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FP25R12W2T4BOMA1 符合标准

FP25R12W2T4BOMA1 概述

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