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FP75R12KE3
157.36
FP75R12KE3 数据手册 (12 页)
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FP75R12KE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Solder
引脚数
24 Pin
封装
AG-ECONO3-3
额定功率
350 W
针脚数
24 Position
极性
N-Channel
功耗
350 W
输入电容值(Cies)
5.3nF @25V
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
355 W

FP75R12KE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
长度
122 mm
宽度
62 mm
高度
17 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

FP75R12KE3 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.12 MByte
Infineon(英飞凌)
36 页 / 3.45 MByte
Infineon(英飞凌)
1 页 / 0.01 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 2.24 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.14 MByte

FP75R12 数据手册

Infineon(英飞凌)
EconoPIM3模块沟/场终止IGBT 4和EmCon4二极管 EconoPIM3 module with trench/fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
Infineon(英飞凌)
INFINEON  FP75R12KE3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM
Infineon(英飞凌)
IGBT模块
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
Infineon FP75R12KE3BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-3封装
Infineon(英飞凌)
EconoPIM3模块,具有快速海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4和NTC EconoPIM3 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
EconoPIM ™ 3模块沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4 EconoPIM™3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.7 V, 355 W, 1.2 kV, Module
Infineon(英飞凌)
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
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