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FP75R12KE3BOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

IGBT晶体管

封装:

AG-ECONO3-3

描述:

Infineon FP75R12KE3BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-3封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FP75R12KE3BOSA1 数据手册 (11 页)

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FP75R12KE3BOSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

35 Pin

封装

AG-ECONO3-3

功耗

355 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

5.3nF @25V

额定功率(Max)

355 W

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

350000 mW

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FP75R12KE3BOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

长度

122 mm

宽度

62 mm

高度

17 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

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FP75R12KE3BOSA1 符合标准

FP75R12KE3BOSA1 海关信息

FP75R12KE3BOSA1 概述

FP75R12KE3BOSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.54 MByte

FP75R12KE3BOSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 3.45 MByte

FP75R12KE3BOSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

FP75R12KE3BOSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

33 页 / 2.24 MByte

FP75R12KE3BOSA1 产品描述及参数

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.07 MByte

FP75R12KE3 数据手册

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INFINEON FP75R12KE3 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 105 A, 2.3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPIM

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FP75R12KE3BOSA1 数据手册

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Infineon FP75R12KE3BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 105 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-3封装

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