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FQA13N50CF_F109
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FQA13N50CF_F109 数据手册 (8 页)
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FQA13N50CF_F109 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-3-3
功耗
218W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
输入电容值(Ciss)
2055pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
218W (Tc)

FQA13N50CF_F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQA13N50CF_F109 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1 MByte

FQA13N50 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N50CF, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 500V 13.5A
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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