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FQA140N10
3.979
FQA140N10 数据手册 (8 页)
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FQA140N10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
100 V
额定电流
140 A
封装
TO-3-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.008 Ω
极性
N-Channel
功耗
375 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
栅源击穿电压
±25.0 V
连续漏极电流(Ids)
140 A
上升时间
940 ns
输入电容值(Ciss)
7900pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
375 W
下降时间
360 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
375000 mW

FQA140N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
18.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

FQA140N10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 3.64 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte

FQA140 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA140N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 140 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA140N10, 140 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装
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