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FQA28N50
0.368
FQA28N50 数据手册 (8 页)
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FQA28N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
功耗
310W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
上升时间
290 ns
输入电容值(Ciss)
5600pF @25V(Vds)
下降时间
175 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)

FQA28N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQA28N50 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.8 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.51 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.62 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 3.05 MByte

FQA28 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQA28N50 管装
ON Semiconductor(安森美)
QFET® N 通道 MOSFET,超过 31A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA28N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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