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FQA30N40
2.894
FQA30N40 数据手册 (8 页)
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FQA30N40 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
400 V
额定电流
30.0 A
封装
TO-3-3
额定功率
290 W
漏源极电阻
0.14 Ω
极性
N-Channel
功耗
290 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
400 V
漏源击穿电压
400 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
320 ns
输入电容值(Ciss)
4400pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
290 W
下降时间
170 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
290W (Tc)

FQA30N40 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
16.2 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQA30N40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 2.16 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
13 页 / 0.57 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
4 页 / 0.62 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
6 页 / 0.51 MByte

FQA30 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
400V N沟道MOSFET 400V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
FQA30N40 系列 400 V 140 mOhm 120 nC 通孔 N 沟道 Mosfet - TO-3PN
Freescale(飞思卡尔)
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