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FQA34N20 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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FQA34N20 数据手册 (8 页)

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FQA34N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

34.0 A

封装

TO-3-3

漏源极电阻

75.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

210 W

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

34.0 A

上升时间

280 ns

输入电容值(Ciss)

3100pF @25V(Vds)

下降时间

115 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

210W (Tc)

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FQA34N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

16.2 mm

宽度

5 mm

高度

20.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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FQA34N20 符合标准

FQA34N20 海关信息

FQA34N20 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.78 MByte

FQA34N20 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.71 MByte

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