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FQA46N15
2.032
FQA46N15 数据手册 (8 页)
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FQA46N15 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
33 mΩ
功耗
250 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
150 V
上升时间
320 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
250 W
下降时间
200 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
250 W

FQA46N15 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
高度
20.1 mm

FQA46N15 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.55 MByte

FQA46 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA46N15  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA46N15, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装
Fairchild(飞兆/仙童)
150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
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