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FQA62N25C
3.858
FQA62N25C 数据手册 (8 页)
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FQA62N25C 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-3-3
功耗
298 W
漏源极电压(Vds)
250 V
上升时间
395 ns
输入电容值(Ciss)
6280pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
298 W
下降时间
335 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
298000 mW

FQA62N25C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

FQA62N25C 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 2.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.01 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 3.05 MByte

FQA62N25 数据手册

Freescale(飞思卡尔)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQA62N25C  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 250 V, 35 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
N沟道 250V 62A
Freescale(飞思卡尔)
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