￥ 1.436

FQA9N90C-F109 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-3

描述:

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

FQA9N90C-F109 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

FQA9N90C-F109 数据手册 (8 页)

查看文档

或点击图片查看大图

FQA9N90C-F109 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.12 Ω

功耗

280 W

阈值电压

5 V

输入电容

2100 pF

漏源极电压(Vds)

900 V

上升时间

120 ns

输入电容值(Ciss)

2100pF @25V(Vds)

下降时间

75 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280 W

查看数据手册 >

FQA9N90C-F109 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

18.9 mm

查看数据手册 >

FQA9N90C-F109 符合标准

FQA9N90C-F109 概述

FQA9N90C-F109 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.78 MByte

FQA9N90C-F109 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

66 页 / 0.58 MByte

FQA9N90C-F109 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

18 页 / 3.05 MByte

FQA9N90 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

FQA9N90 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

FQA9N90C 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

FQA9N90C_F109 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

QFET® N 通道 MOSFET，6A 至 10.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

FQA9N90C-F109 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装

FQA9N90_F109 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET

FQA9N90C_F109 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA9N90C_F109, 9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装

FQA9N90-F109 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

N沟道 900V 8.6A