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FQB27N25
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FQB27N25 数据手册 (9 页)
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FQB27N25 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
250 V
连续漏极电流(Ids)
25.5A

FQB27N25 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

FQB27N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.83 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
7 页 / 0.4 MByte

FQB27 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB27P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 250V 25.5A
Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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