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Datasheet 搜索 > MOS管 > Fairchild(飞兆/仙童) > FQB27N25TM_AM002 Datasheet 文档
FQB27N25TM_AM002
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FQB27N25TM_AM002 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
250 V
额定电流
25.5 A
封装
TO-263-3
漏源极电阻
110 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.13W (Ta), 180W (Tc)
漏源极电压(Vds)
250 V
漏源击穿电压
250 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
25.5 A
输入电容值(Ciss)
2450pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3.13W (Ta), 180W (Tc)

FQB27N25TM_AM002 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FQB27N25TM_AM002 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
9 页 / 0.77 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.95 MByte

FQB27N25 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 250V 25.5A
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
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