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FQB27P06TM
1.528
FQB27P06TM 数据手册 (8 页)
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FQB27P06TM 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.055 Ω
功耗
3.75 W
阈值电压
4 V
输入电容
1100 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
上升时间
185 ns
输入电容值(Ciss)
1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.75 W
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3750 mW

FQB27P06TM 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm

FQB27P06TM 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 1.49 MByte
ON Semiconductor(安森美)
18 页 / 0.94 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.87 MByte

FQB27P06 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB27P06TM  晶体管, MOSFET, P沟道, -27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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